| 1. Identificação | ||||
| Tipo de Referência | Artigo em Revista Científica (Journal Article) | |||
| Site | mtc-m21b.sid.inpe.br | |||
| Código do Detentor | isadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S | |||
| Identificador | 8JMKD3MGP3W34P/3KMH9PL | |||
| Repositório | sid.inpe.br/mtc-m21b/2015/12.01.15.57 (acesso restrito) | |||
| Última Atualização | 2015:12.01.16.05.58 (UTC) administrator | |||
| Repositório de Metadados | sid.inpe.br/mtc-m21b/2015/12.01.15.57.01 | |||
| Última Atualização dos Metadados | 2018:06.04.02.55.54 (UTC) administrator | |||
| DOI | 10.1134/S1063739715060086 | |||
| ISSN | 1063-7397 | |||
| Chave de Citação | TrushinKupYinGraAla:2015:AtMeSt | |||
| Título | Atomic mechanisms of strain relaxation in heteroepitaxial Cu/Ni(001) system  | |||
| Ano | 2015 | |||
| Mês | Nov. | |||
| Data de Acesso | 11 maio 2024 | |||
| Tipo de Trabalho | journal article | |||
| Tipo Secundário | PRE PI pi | |||
| Número de Arquivos | 1 | |||
| Tamanho | 629 KiB | |||
| 2. Contextualização | ||||
| Autor | 1 Trushin, O. S. 2 Kupryanov, A. N. 3 Ying, S. -C. 4 Granato, Enzo 5 Ala-Nissila, T. | |||
| Grupo | 1 2 3 4 LAS-CTE-INPE-MCTI-GOV-BR | |||
| Afiliação | 1 Academy of Sciences of Russia 2 Academy of Sciences of Russia 3 Brown University 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 5 Aalto University School of Science | |||
| Endereço de e-Mail do Autor | 1 2 3 4 enzo.granato@inpe.br | |||
| Revista | Russian Microelectronics | |||
| Volume | 44 | |||
| Número | 6 | |||
| Páginas | 410-413 | |||
| Histórico (UTC) | 2015-12-01 15:57:01 :: simone -> administrator :: 2018-06-04 02:55:54 :: administrator -> simone :: 2015 | |||
| 3. Conteúdo e estrutura | ||||
| É a matriz ou uma cópia? | é a matriz | |||
| Estágio do Conteúdo | concluido | |||
| Transferível | 1 | |||
| Tipo do Conteúdo | External Contribution | |||
| Tipo de Versão | publisher | |||
| Palavras-Chave | Activation barriers Atomic mechanism Critical thickness EAM potential Heteroepitaxial Molecular statics Semi-empirical Strain relief | |||
| Resumo | Strain relief mechanisms in heteroepitaxial Cu/Ni(001) system are studied using molecular static methods with semiempirical EAM potentials. In particular, the process of a V-shape defect (internal (111) faceting) nucleation is considered, and the corresponding activation barriers and critical thicknesses are estimated. | |||
| Área | FISMAT | |||
| Arranjo | urlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Atomic mechanisms of... | |||
| Conteúdo da Pasta doc | acessar | |||
| Conteúdo da Pasta source | não têm arquivos | |||
| Conteúdo da Pasta agreement |
| |||
| 4. Condições de acesso e uso | ||||
| Idioma | en | |||
| Arquivo Alvo | 2015_truchin.pdf | |||
| Grupo de Usuários | administrator simone | |||
| Grupo de Leitores | administrator simone | |||
| Visibilidade | shown | |||
| Permissão de Leitura | deny from all and allow from 150.163 | |||
| Permissão de Atualização | não transferida | |||
| 5. Fontes relacionadas | ||||
| Repositório Espelho | urlib.net/www/2011/03.29.20.55 | |||
| Unidades Imediatamente Superiores | 8JMKD3MGPCW/3ESR3H2 | |||
| Lista de Itens Citando | sid.inpe.br/bibdigital/2013/09.24.19.30 3 | |||
| Divulgação | PORTALCAPES; COMPENDEX; SCOPUS. | |||
| Acervo Hospedeiro | sid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20 | |||
| 6. Notas | ||||
| Campos Vazios | alternatejournal archivingpolicy archivist callnumber copyholder copyright creatorhistory descriptionlevel e-mailaddress format isbn label lineage mark nextedition notes orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarykey secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url | |||
| 7. Controle da descrição | ||||
| e-Mail (login) | simone | |||
| atualizar | ||||